2003年01月30日

お知らせ

Seleteに新材料の特性測定装置を納入へ。

Seleteに米n&kテクノロジー製300mmウェハー用

稲畑産業は30日、半導体大手各社が出資する株式会社半導体先端テクノロジーズ(Selete、本社:茨城県つくば市)に対し、米半導体測定装置ベンチャー、n&kテクノロジー(カリフォルニア州)の300mmウェハー用薄膜特性測定装置「n&k Analyzer 3300」を納入する、と発表した。

同アナライザは、高誘電率(high-k)新材料によるゲート絶縁膜の膜厚・膜質測定を含むフロントエンド・プロセスの開発や、低誘電率(low-k)層間絶縁膜(ILD)材料や薄膜バリアメタルに関係するバックエンド・プロセスの特性測定用として利用される予定。

Seleteは2004年までにhigh-kゲート絶縁膜や、low-k ILD材料を利用した多層配線構造の65nm技術ノードのデバイスプロセス技術開発を目指しているが、ノードの厳格な要求を満たす材料の特性測定と材料特定の技法は重要なポイントとなる。

n&kの社長兼CEOラヒム・フォローヒ(Rahim Forouhi)博士は「n&kのシステムは、ゲートや層間絶縁膜用に新材料の使用を実現するというSELETEの目標達成に貢献することを確信している」と話している。

n&kは米国の薄膜特性測定装置を製造・販売するベンチャー企業。既に世界各国で研究開発・生産ラインで実績がある。稲畑産業はn&kの日本での総代理店となっているほか、中国や台湾でのn&k装置の販売にも取り組んでいる。


<参考>
稲畑産業株式会社
稲畑産業(東証、大証:8098)は、IT&エレクトロニクス、ケミカル、プラスチック、住環境、食品といった事業分野で常に斬新なソリューションやサービスを提供。創業以来、高度な専門知識やノウハウに基づくビジネスプランニング、マーケティング、製造や物流を通し、幅広いニーズに応えてきた。海外約50拠点に広がるネットワークを駆使、新たな価値の創造に取り組んでいる。
IT・エレクトロニクス分野では液晶、半導体関連の装置・材料やケミカル製品に関するトータルソリューションを提供、半導体特性測定装置はテスト&アセンブリーグループが担当している。

Selete
Seleteは、将来の半導体技術に対応した先端的基盤技術の研究や次世代半導体製造装置・材料の評価を目的として1996年に設立された。Seleteは0.1~0.07μmのシステム・オン・チップ(SoC)の設計技術、デバイスプロセス技術の開発を目標とする「あすか」プロジェクトの推進母体。

n&kテクノロジー
n&kは半導体、フォトマスク、フラットパネル・ディスプレイ、データストレージなどを含むさまざまな製造業に製品を提供している。n&kが提供するシステムは費用対効果が高い上、使いやすく、テーブルトップ・モデルから全自動の300mm生産ツールに至る幅広いモデルを揃えている。これらのシステムでは高い分解能による「真の測定」が可能で、膜厚、基板、そして構造に関し事実上どのような組み合わせでも特性測定が行える。またn&kの製品は、成膜装置等の他装置への組み込みにも好適。

n&k 3300アナライザ
n&k3300アナライザは300mmウェハー対応の全自動ツールで、独自の「光の分散方程式(Forouhi-Bloomer Model)」、深紫外領域から近赤外領域に渡る広波長帯域分光技術、そして革新的な光学系の要素技術により構成されている。

同アナライザは膜厚、波長190~1000nm間の光学定数(屈折率nおよび消衰係数k)スペクトル、エネルギーバンドギャップ、界面の粗さなどを高速で非接触・非破壊で測定する。

また求められた光学定数からの相関により、薄膜の誘電率、抵抗率といった電気的特性を評価・管理できる他、ユニークな応用例としてトレンチ深さ等の微細寸法の測定やフォトマスクの位相差測定にも用いることができる。

測定対象は絶縁膜から有機膜、金属薄膜などと多様で、20A以下の極薄膜や100μm以上の厚膜の測定も可能なため、半導体のほかFPD、データストレージ等、薄膜を用いたあらゆるデバイスに応用できる。

このリリースに関するお問い合わせは下記へ
■ 井之上パブリックリレーションズ
稲畑産業広報担当 :河端(akikok@inoue-pr.com)
:皆見(minamiru@inoue-pr.com)
TEL :03-5269-2301


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